三星电子在“Samsung Foundry Forum 2022”上曾公布激进的星重新推小台技术路线图，宣布计划于2025年大规模量产2nm工艺，进n积电距并引入High-NA EUV光刻技术推进更先进的发工1.4nm工艺，预计2027年量产。作缩之间然而，星重新推小台受限于晶圆代工部门的进n积电距运营亏损压力，三星在2023年调整了策略，发工将1.4nm量产节点推迟至2029年，作缩之间转而聚焦于2nm工艺的星重新推小台良率提升、性能优化及能耗控制。进n积电距

据TrendForce最新报道，发工面对英特尔与台积电预计于2028年至2029年间实现1.4nm工艺大规模量产的作缩之间市场格局，三星决定重新激活1.4nm工艺的星重新推小台开发工作，旨在缩小与行业龙头台积电的进n积电距技术差距。尽管量产时间表可能略晚于竞争对手，发工但三星正加速填补这一关键制程空白。

供应链消息指出，三星已向国内外合作伙伴发出紧急请求，加速相关工艺设备的开发与交付。知情人士透露，三星位于南杨州的NRD-K工厂已安装ASML的下一代High-NA EUV光刻机，该设备将从1.4nm工艺节点开始，优先应用于特定的关键工艺层。

三星此举被视为其重塑代工市场竞争力的关键一步。目前，主要竞争对手的进度如下：
* 台积电：计划最早于2027年3月试产1.4nm工艺，并于2028年下半年实现大规模量产。
* 英特尔：其Intel 18A工艺已进入试点生产阶段，Intel 14预计于2028年实现风险生产，2029年正式量产。

鉴于新一代AI芯片对半导体制造工艺提出了更为严苛的要求，若三星在1.4nm量产进度上滞后过多，将面临巨大的市场流失风险。尽管三星此前根据实际需求调整了资源分配，但为避免在高端代工市场边缘化，公司正力求加快研发节奏，确保在激烈的制程竞赛中不掉队。

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