2026年7月6日，海混合M或三星电子与SK海力士在推进混合键合（Hybrid Bonding）技术用于下一代高带宽存储器（HBM）的力士过程中，正遭遇多重现实制约，暂缓导致相关技术落地节奏持续放缓。键合

混合键合作为提升HBM性能的商用术关键路径之一，其全面商用时间表已较原计划显著延后。弃用据行业分析，该技两家巨头正对混合键合的海混合M或导入节点进行审慎再评估，即便在HBM5代产品中，力士该技术仍可能暂不启用。暂缓

厚度标准放宽削弱技术必要性

该技术通过直接连接DRAM芯片间的键合铜互连结构，省去传统凸点工艺，商用术在理论上有利于降低HBM整体厚度并优化热管理。弃用但近期JEDEC组织正就HBM5规格展开讨论，该技拟将最大允许厚度上限由现行的海混合M或775微米放宽至约1000微米。

• HBM3E：厚度标准为720微米
• HBM4：已调整为775微米
• HBM5（拟议）：上限放宽至约1000微米

厚度容限的扩大，使得混合键合在减薄方面的必要性明显减弱。

散热方案成熟缓解技术压力

与此同时，散热难题正通过更成熟、更易集成的方案得到缓解，进一步降低了混合键合的紧迫性：

1. 三星HPB热通道模块：在封装内部设置独立热传导路径，可有效从堆叠核心区域导出热量。
2. SK海力士iHBM技术：将具备电绝缘特性的导热硅基冷却元件嵌入D2D物理层，据称可使热阻降低逾三成。

两家公司均计划自HBM5起，将各自热管理方案投入量产应用。

市场需求与良率压力制约产业化

当前，产业链上下游对16层堆叠HBM的实际需求尚未形成共识。市场主流预期仍将延续至HBM4E阶段，12层堆叠产品大概率继续担当主力角色。由于更高层数堆叠带来的性能增益尚未匹配成本与良率压力，16层及以上结构的产业化动力不足，进一步削弱了混合键合技术的迫切性。

中长期展望：高密度互连的必然选择

尽管如此，混合键合的研发仍在持续推进。目前HBM4已实现I/O数量翻倍，达到2048个。若后续HBM5E阶段I/O规模再度翻倍至4096个，现有热压合工艺将面临凸点横向扩散加剧、互连密度难以支撑的瓶颈，届时混合键合将成为实现高密度互连的不可替代路径。

综合判断，混合键合短期内难现规模化应用，但从中长期看，当I/O密度迎来新一轮跃升时，该技术仍将构成高带宽存储器演进的核心方向。

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