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作者 | 第一财经 郑栩彤

7月15日下午，科技存储芯片厂商长鑫科技召开网上投资者交流会。批量公司董事长朱一明阐述了公司登陆资本市场后的造富战略规划，副总裁兼董事会秘书袁园则解读了股权激励初衷，名高并披露了具体的管身股东分红政策。

朱一明指出，家过长鑫科技坚持高强度研发投入，亿千亿百亿级采取“跳代”研发策略，浮现已成功完成从第一代至第四代工艺平台的长鑫量产，实现了DDR5（计算机内存规格）、科技LPDDR5/5X（低功耗内存）等产品的批量全面覆盖与迭代。他强调，造富上市不仅是名高新的起点，更意味着新的管身股东责任。

“我们旨在通过募集资金投资项目，进一步提升技术研发能力与产业化水平，增强对市场需求的响应保障能力。同时，发挥龙头企业的带动作用，促进产业链协同发展。”朱一明表示。

在核心竞争力方面，朱一明透露，公司主要核心技术已达到国际先进水平。业务布局上，公司立足国内市场并逐步拓展海外，市场策略上正加速提升在中高端应用市场的占有率。

针对产线改造，朱一明详细说明了存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目。该项目将在子公司实施技术改造，实现向中高端产品生产线工艺技术的切换，完成DRAM（动态随机存取存储器）生产线的升级，从而降低生产成本，并同步推进本土及新型设备、材料、零部件的导入与合作。

面对行业周期性波动，朱一明表示，公司将通过技术迭代、产能优化和成本管控来增强抗周期能力，但投资者仍需警惕行业波动风险。关于海外大厂扩产导致的供给过剩担忧，他指出，长鑫科技的产能规模远低于国内庞大的市场需求。随着上市募投项目的推进，公司将加速工艺升级，以实现更低的单位成本、更强的市场竞争力及盈利能力。

此外，朱一明提醒，当前人工智能产业正处于基础设施集中投资期，商业化应用仍在拓展中。若未来AI规模化应用落地不及预期，或头部云厂商资本开支放缓，可能对DRAM市场未来的需求增长产生不利影响。

在产品规划方面，袁园表示，消费电子是DRAM的传统基本盘，预计2026年及之后，该领域对DRAM的需求将保持稳健增长。随着全球算力需求浪潮的推动，公司后续有望持续受益，盈利能力将进一步改善。

朱一明补充道，目前公司应用于人工智能算力服务器的DRAM产品收入占比较低，但来自相关领域的产品收入及占比有望持续上升。

针对投资者普遍关注的HBM（高带宽内存）进展，朱一明未做正面回应，仅表示相关信息请参考招股书及公司后续公告。

关于员工激励，袁园回应称，为激发员工的科技创新与创业热情，朱一明自愿将其持有的合肥集鑫肆拾壹号企业管理合伙企业50%的合伙份额（对应公司当前股本767,920,918股）未来分配给员工用于激励。该激励计划的实施不会新增发行公司股份，也不会稀释上市后新老股东的权益。

在股东回报方面，袁园表示，公司已制定完整的三年分红回报规划。在符合分红条件的前提下，公司原则上每年进行一次现金分红。

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