财联社7月9日讯（编辑 马兰）尽管今年早些时候市场普遍预期三星电子和SK海力士将引入混合键合设备，星和性已并计划将其应用于下一代HBM4芯片，海力合键合封但最新行业动态显示，士推两家巨头正重新评估该技术的用混艺因业内应用时间表。业内共识逐渐转向：混合键合技术在HBM领域的装工规模化应用可能比预期更为滞后。

混合键合技术：HBM封装的迫切演进关键

混合键合（Hybrid Bonding）作为半导体先进封装的核心技术之一，其核心优势在于突破了传统键合技术的大幅物理限制。与传统依赖凸点（Bump）的降低连接方式不同，混合键合技术能够直接连接相邻DRAM芯片间的星和性已铜互连线，无需中间介质。海力合键合封

这一技术革新为HBM封装带来了多重显著优势：
* 结构优化：实现更轻薄的士推封装形态。
* 性能提升：显著改善散热效率与电源管理效能。用混艺因业内
* 高密度互连：支持更高密度的装工HBM I/O端子互连，从而加速内部数据传输，迫切在提升器件整体性能的大幅同时有效降低功耗。

在封装技术图谱中，混合键合技术与TSV（硅通孔）、EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等工艺形成互补或竞争关系，共同推动存储芯片的性能边界。

迫切性降低：从HBM4推迟至HBM4E

尽管混合键合曾被寄予厚望成为HBM4的标配，但据最新报道，三星电子和SK海力士最终决定在HBM4阶段继续沿用成熟的热压键合（Thermocompression Bonding）技术。行业预测指出，混合键合技术的广泛应用最早可能要等到16层HBM4E（第七代HBM）芯片问世时才会实现。

导致这一战略调整的核心原因在于“迫切性”的降低，主要受以下因素驱动：

1. 客户对厚度标准的放宽

过去，HBM3E及之前版本的封装厚度标准严格限制在720微米。然而，随着DRAM堆叠结构从8层/12层向12层/16层配置演进，从HBM4开始，厚度限制已放宽至775微米。这一标准的松动直接降低了业界对芯片间距最小化的刚性需求，使得传统键合技术在满足当前性能指标方面依然具备竞争力。

2. 主要客户需求延迟

包括英伟达在内的头部客户对更高堆栈数HBM的需求出现延迟，这在一定程度上缓解了对极致封装工艺的压力。由于终端应用对封装工艺要求的边际效应递减，厂商选择维持现有成熟工艺以控制成本与风险。

未来展望：技术储备并未停滞

尽管短期内的应用节奏放缓，但三星电子、SK海力士及其他主要存储厂商并未停止对混合键合技术的研发。业内分析认为，随着HBM I/O数量的急剧增加以及未来对更高带宽和更低延迟的极致追求，混合键合技术因其独特的物理优势，其市场需求将在后续世代中再次凸显。

（财联社 马兰）

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