7月10日，极致巨高带宽内存（HBM）作为多层DRAM垂直堆叠的性能星S新代心基高附加值芯片，已成为英伟达（NVDA.US）等AI加速器性能的稳定围绕关键基石。

随着HBM4时代的供货到来，HBM基底芯片（Base Die）的海M核技术路线发生根本性转变：从以往依赖成熟制程，转向引入智能手机AP与服务器CPU领域的力士先进逻辑制程。这一变革使得数据调度效率直接决定整体性能上限，美光进而成为三星、底芯SK海力士、片竞美光三大存储巨头争夺的极致巨核心焦点。

三星电子：全栈垂直整合，性能星S新代心基剑指高端性能

三星电子坚持采用自研4nm制程打造基底芯片，稳定围绕实现了从设计、供货制造到封装的海M核全链条垂直整合。其战略核心在于全力突破性能瓶颈，力士预计将在英伟达高端HBM4订单中占据主导地位。然而，该技术路线也伴随着良率偏低的风险，对量产稳定性构成挑战。

SK海力士：稳健迭代，平衡产能与性能

SK海力士现阶段依托台积电（TSM.US）12nm成熟工艺，优先保障量产的稳定性和交付能力。目前，其方案已获得苹果（AAPL.US）及英伟达等关键客户的验证。展望未来，SK海力士计划逐步过渡至3nm制程，并借助MR-MUF封装技术，在性能提升与产能扩张之间寻求最佳平衡点。尽管路径稳健，但其发展仍受制于台积电的产能分配策略，存在一定不确定性。

美光科技：侧重供应链稳定，布局相对滞后

美光科技（MU.US）目前的战略重心仍放在成熟制程上，在先进基底芯片领域的布局明显滞后于韩系竞争对手。其核心优势在于供应链的稳定性和成本控制能力。由于自研能力较弱且代工绑定关系不如韩企紧密，美光的产品迭代节奏相对缓慢，更多采取保守跟随策略。

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